目前，宇迪拥有8项已申请专利的光伏创新技术，还有两项正在准备申请中。
       宇迪公司目前专利技术介绍如下：
       1、 双面太阳能聚光电源模块 （发明专利申请）
       申请号：200710191033.9
       发明方案：聚光电源模块效率高造价低，但是一般需要跟踪系统，这样就很难在屋顶系统上使用，而目前的应用集中在屋顶系统上，所以聚光电池应用并不广发。宇迪发明的聚光电源模块是不需要跟踪系统可以直接使用在屋顶的太阳能电池。其原理在于使用双面高效率太阳电池作为聚焦点。

       2、 双面太阳能电池 
       申请号：200710191481.9 
       发明方案说明：双面太阳能电池能够对正面和背面的光线都能发电，日本夏普的同类产品效率达到19%。本发明在pn结的结构上做了改进，使正反两面的P区和N区相对。但同时正面既有p区又有n区，背面也是。这样，在结构上，pn结的面积更大，减少了电池的体内复合，因此效率更高，是一种可以双面发电的结构。

       3、双面PN结硅太阳能电池（发明专利申请）
       申请号：200810019095.6
       发明方案：对于上述发明的申请号为200710191481.9的双面电池，如果改变正面和背面的pn结的占空比，将能作出主要用于提高正面发电效率的普通型硅电池。该电池方案至少能提高一个百分点的效率。
       4、双面pn结硅太阳能电池（实用新型）
       申请号：200820030737.X
       说明：上述硅电池的生产工艺的研发。突破点在于扩散方法。
       5，一种高效率p型硅电池
       申请号：200820031071.8
       说明：栅线遮光面积从8%降低到3%，约增加5%的入射光。并通过上下变面双pn结的结构减少了变面复合和体内复合。用于p型硅电池的生产在前面基础上能增加0.3%左右的效率。

       6，一种高效率N型硅电池
       申请号： 200820091072.2
       说明：结构同上，但pn结的占空比不同，主要用于纯度更高的N型材料，效率更高于p型材料。

       7，一种高效率硅电池
       申请号：200820032545.0
       说明： 使用离子束表面处理扩散工艺，通过控制离子密度自然形成选择性扩散。设备正在研发中。

       8，一种高效率打孔硅电池（发明）
       申请号：200820032546.5
       通过用电子束在硅片表面打孔2400个孔，使扩散从表面到背面，自然形成选择性扩散。该结构可以将栅线完全移到背面，效率因此至少提高1.5%。是目前中国结构效率最好的电池，目前正在小试中。美国的sunpower电池效率做到22%,重要因素就是其电池正面没有栅线。